应数理学院李庚伟副教授邀请，中国科学院半导体研究所杨少延研究员将来我校进行学术交流，并做学术报告。

题目：硅衬底氮化镓材料大失配外延制备研究及技术应用

时间：2020年11月18日（星期三）下午15:00-17：30

地点：教五楼409

报告人简介：杨少延，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、超宽禁带半导体材料研究组组长。主要从事宽禁带半导体材料与器件研究及相关材料生长设备设计建造技术开发工作。在氮化镓功率电子器件的产业化应用方面作出了突出贡献。已先后承担国家级科研项目及地方技术开发项目二十多项（经费累计2600多万，包括：国家重点研发计划子课题2项，国家863课题4项、国家973子课题3项、国家自然科学基金项目5项、国家“九五”攻关子课题1项、中国科学院仪器设备研制改造项目2项、国际合作研究课题1项、院地合作技术开发项目2项）。发表学术论文100余篇（包括：通讯作者论文30篇、国内会议特邀报告4篇）；申请中国专利50余项（已授权25项）。

　　欢迎广大师生参加，研究生记学术报告一次！

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　　研究生院

　　2020年11月13日